
以碳化硅(SiC)等為代表的第三代寬禁帶半導體功率器件有望開啟新一輪的產業變革。
集微網消息,在半導體器件和集成電路領域,硅(Si )材料仍占據主流地位。然而,傳統硅工藝器件的性能已接近理論極限,現有的硅基功率器件也無法滿足電力電子系統對于高阻斷電壓和開關頻率的要求。因此,以碳化硅(SiC)等為代表的第三代寬禁帶半導體功率器件有望開啟新一輪的產業變革。
雖然目前全球在SiC材料的研究及商用化SiC功率器件的開發方面尚處于起步階段,但國內的上海瀚薪科技已在這一領域深耕多年。上海瀚薪科技是一家致力于研發與生產第三代寬禁帶半導體功率器件及功率模塊的高科技企業,也是國內一家能大規模量產車規級碳化硅MOS管、二極管并規模出貨給全球知名客戶的本土公司。據了解,瀚薪車規級650V/1200V/1700系列碳化硅肖特基二極管產品均已規模量產,且已全部通過車規級認證?;贘BS/MPS結構的肖特基二極管兼具175 °C的結溫能力和更高的抗浪涌電流能力,已廣泛應用于服務器電源、通信電源以及開關電源等產品。而3300V 系列產品正在認證測試過程中,預計今年上半年正式車規級量產。

SiC DMOSFET開關器件中,車規級 650V /1200V /1700V 系列以及3300V 系列均已規模量產,導入供應鏈。另外,瀚薪全球獨創的JMOSFET 技術通過將JBS和MOS器件集成在一起,使單芯片擁有逆變器的集成功能,能夠實現模塊小型化和更高的功率密度。據悉車規級 650V /1200V 系列相關產品均已規模量產。
發展至今,上海瀚薪科技已掌握先進的自主器件設計和工藝研發能力,產品已經能和ST、CREE、羅姆等國際品牌比肩,產品的品類更是超過這些國際品牌(如3300V MOS、JMOS等),在突破國外大廠碳化硅技術壟斷的同時保持國內領先。該公司在全球擁有核心專利36項,包含全球獨創JMOS器件的設計和工藝專利,另外正在申請的十幾項專利也將為碳化硅知識產權版圖進一步布局。根據市場研究機構TrendForce分析,受惠于車用、工業和通信需求挹注,2021年第三代半導體成長動能有望高速回升。Yole同樣預計,碳化硅器件市場收益將會持續,截止到 2025年將超過 30 億美元。市場規??涨?,瀚薪的戰場將持續擴大。

值得一提的是,不同于其他廠商,上海瀚薪科技在4月14日舉行的慕尼黑上海電子展上分設有兩個展臺。除SiC器件外, SiC功率模塊和驅動解決方案的展臺也吸引到大量與會者關注。相較于SiC器件走Fabless模式,瀚薪在SiC功率模塊上則堅持IDM,依托全自主研發芯片,從設計到生產均在自家工廠完成。截至目前已能規模量產用于新能源汽車主逆變器的1200V 600A/700A的三相全橋模塊、62mm工業標準模塊以及用途廣泛的EasyPACK模塊等產品。

這些高功率密度模塊可根據客戶需求定制開發。其中三相全橋電驅模塊已經與國內外多家新能源車廠展開合作測試,工業級模塊產品已大規模出貨。據了解,瀚薪模塊產品采用的先進納米銀燒結工藝、鋁帶工藝都已經成熟,將能進一步降低模塊熱阻,提高模塊功率密度。除此之外,瀚薪也可以為客戶提供模塊驅動一體化解決方案,包括1200V/400A 碳化硅半橋模塊驅動板等,以及碳化硅基的光耦繼電器產品等。

這些高功率密度模塊可根據客戶需求定制開發。其中三相全橋電驅模塊已經與國內外多家新能源車廠展開合作測試,工業級模塊產品已大規模出貨。據了解,瀚薪模塊產品采用的先進納米銀燒結工藝、鋁帶工藝都已經成熟,將能進一步降低模塊熱阻,提高模塊功率密度。除此之外,瀚薪也可以為客戶提供模塊驅動一體化解決方案,包括1200V/400A 碳化硅半橋模塊驅動板等,以及碳化硅基的光耦繼電器產品等。